冰山横亘,IC设计师面临“泰坦尼克式”挑战
日前在美国加州举行的设计自动化研讨会(DAC)上,参与一个特别小组讨论的人士称,纳米IC设计师正快速穿越“未知水域”,面临着与可变性、可靠性、功率及方法论有关的“冰山”。 在题为《泰坦尼克号,...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-06-22
金属加工专业词中英对照
Iinclinationn.倾斜，斜度，倾角，斜角［坡］，弯曲，偏［差，角］转//incrementn.增量，增加，增［大］长//indexingtableautomaticn.自动分度工作台//infeedgrindingn.切入式磨削//installatio...
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2005-05-23
CMC相中两款MOSFET模型实施标准化,拟取代BSIM3/4
Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化,以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。
CMC选择的是日本广岛大学(Hiroshima University)开发...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-05-20
台积电针对90纳米平台提供更多DFM建议
在日前举行的台积电(TSMC)2005年技术研讨会上,该公司的高层透露,将为采用90纳米设计规则的工程师提供更多的可制造性设计(DFM)建议(recommendations)。 台积电DFM项目负责人James Wang透露,此次新...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-05-18
Sematech宣称在45纳米高K材料开发取得突破
芯片制造协会Sematech宣称在高K/金属门晶体管的隧道迁移率和可靠性方面取得突破。据该协会称,这将使面向CMOS的高K技术能应用于45纳米技术节点。 数十年来,二氧化硅材料一直用于门堆栈。但随着晶...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-05-06
Thelma工艺可创建更灵敏的MEMS结构
表面微加工技术可用于创建微机电传感器及激励器系统,它能够通过高适应度的弹性,形成锚定在基底上的悬浮式结构。该工艺流程借鉴了先进的IC技术以及高纵横比干蚀刻和牺牲层(sacrificial-layer)去除...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-03-20
45纳米节点使用的高K介质仍在开发阶段
到今年夏天,负责工艺技术的主管们就需要将工作重点锁定在45纳米芯片制造节点的工艺流程上。但直到现在,一项至关重要的技术仍停留在开发阶段:它就是需要在晶体管中心部位取代二氧化硅绝缘介质的高...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-03-20
小型多信道光耦合器的关键技术:堆栈LED结构
最新的光耦合器的核心是输入LED和输出光侦测器,二者是由一个光传导媒介(也可提供电气绝缘功能)或额外的光传导介电层所隔开。光侦测器可以是光电晶体管、光电二极管加晶体管、或整合的侦测器/逻辑...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-01-21
2004年第三季度十大热门处理器与存储器新品评析
在选择处理器和存储器类产品时,配置多样且各具特色的闪存占据主导地位。微控制器(其中某些带有嵌入式闪存)和DSP同样十分惹眼。 1、瑞萨推出最快的闪存芯片 编辑评注 : 针对多媒体产品对大容量存...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2005-01-19
运用钙钛矿氧化物材料,三星OxRRAM技术获突破
在日前举行的IEDM上,韩国三星电子(Samsung Electronics)描述了一种下一代非易失性存储器技术,即所谓的OxRRAM。 据称,OxRRAM基于磁阻存储器(resistive memory)技术,该技术已经讨论过多年,但是这项...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-29
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