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查询结果 共有648项符合氧化物的查询结果,以下是第591-600项。 (搜索用时 87 毫秒) 
英国剑桥初创公司SON技术可助实现智能电源
英国剑桥大学(University of Cambridge)的两位教师于四年前创办的Cambridge Semiconductor公司日前透露,其技术基础乃采用MEMS??S工艺技术,在一条横跨由晶圆背部蚀刻空间的薄硅悬臂梁内,构建一种...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-29
英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管
日前在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-23
微机电系统集成与性能、成本和可靠性的综合考虑
MEMS是否集成具有争论性,集成是实现高性能、低价格、高可靠性与高质量的唯一办法,但其研发和生产投入较大,需要较大的批量来支持,而且要解决可行的工艺问题。本文分析了集成和不集成两种观点及其...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-01
2004年第二季度十大热门IP&E新品评析
欢迎浏览本季度十大热门IP&E(Interconnect, Passive and Electromechanical )新品,相对来说,与处理器、存储器等器件相比,此类器件往往不被重视,而事实上,随着当终端产品市场的多功能化和小型化趋...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-01
用深亚微米CMOS工艺设计针对消费电子应用的模拟器件
对更低成本、更小尺寸和更低功耗的追求促使消费电子行业积极利用最新的深亚微米CMOS工艺技术。更高的逻辑门密度和时钟速度允许在数字域中进行更多的信号处理工作。但是,几乎所有的消费电子产品应...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-01
SoC设计中结构测试仪的矢量生成原理
深亚微米和纳米设计中出现了新的缺陷类型,单开发和使用功能性矢量已经无法满足对产品测试的实际需求。扫描、AC扫描、逻辑内建自测试(LBIST)和存储器BIST这类结构测试方法为理解设计规范、识别生...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-12-01
2004年IEDM大会将聚焦新工艺与下一代器件
在即将于美国旧金山召开的第五十届国际电子器件大会(IEDM)上,全球主要的芯片制造商将不失时机地披露他们的65和45纳米工艺,但今年IEDM的大部分论文将前瞻未来的器件,这些器件已经超出平面CMOS的范...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-10-30
日本EUV光刻研究瞄准CO2激光,谋求降低EUV系统成本
日本极超紫外线光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)研究将瞄准碳氧化物激光,以降低EUV系统的成本。 日本极超紫外线光刻系统开发协会表示,二氧化碳(CO2)激光有可能降低激光成本达20%。CO2技术...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-09-13
英特尔最新RAM采用65纳米技术,含愈5亿晶体管
英特尔公司日前宣布使用先进的65纳米工艺技术,成功制造出了包含有5亿多个晶体管、并具备全部功能的70MB静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这一成就进一步扩展了英特尔每两年一次的全新工艺开发工作...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-09-02
信令方案没有“灵丹妙药”
随着几家标准制定机构为用于电信和数据通信的10Gbps接口开发电气标准,如何平衡硅实现的复杂性与互连和信道设计的复杂性引起了业界的争论。 尽管二电平不归零(NRZ)信令是理所当然的选择,但新的观...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-08-28
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