TVS二极管在便携设备ESD保护中的应用
便携式设备的ESD保护十分重要,而TVS二极管是一种十分有效的保护器件,与其它器件相比有其独特的优势,但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件,因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同,不同...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2004-01-17
IMEC宣称氧化铪门堆栈研究取得进展
国际大学微电子中心(Interuniversities MicroElectronics Center,IMEC)声称已演示了采用氧化铪高K介电材料和金属门,等效氧化物厚度小于1纳米。这家独立的研究中心还宣称在减小氧化铪阈值电压不稳...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-12-22
TI在IEDM上分享高K材料氮氧硅铪的研究
德州仪器公司最近在国际电子器件大会(IEDM)上发表了使用氮氧硅铪(HfSiON)的论文,据TI称,该论文将展示这种材料可以作为高K介电材料,用于未来晶体管的门极,尤其在电稳定性方面尤为突出。这篇论文没...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-12-17
飞利浦的LDMOS技术有突破,可降低3G基站成本
飞利浦日前宣布在LDMOS技术方面取得突破,其采用先进的半导体工艺实现了具有面向W-CDMA独一无二特性的射频功率晶体管,可加速3G网络的发展。
飞利浦电子公司(Philips Electronics)日前宣布在LDMO...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-12-05
飞利浦科学家展示双极塑料晶体管
飞利浦公司的科学家最近演示了一种技术,可以在同一片塑料上制造既传导正空穴又传导负电子的场效应晶体管。
采用互补晶体管,即电子传导电流的n型晶体管沟道和主要由空穴传输电荷的p型沟道,来实现...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-12-04
IBM研究人员采用二阶段方法解决光耦合问题
IBM光子学研究人员提出一个大有希望解决光IC耦合光纤问题的方案,这有助于实现基于CMOS的光电子器件。此项突破采用光电路设计通用的光晶体技术,在标准光纤及片上光波导之间产生高效耦合。研究人员...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-11-25
经典CMOS:快速充电型CMOS带来恼人的选择
材料和集成方案的选择将决定谁胜谁败
作者: David Lammers
半导体产业不断缩小CMOS的尺寸的过程,就像人们攀登陡峭的山峰一样,越到更高的峰顶就越令人心惊胆战。事实上,针对新型材料与器件结构...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-11-14
Si-Light计划使发光硅商业化
Si-Light Technologies公司日前表示,它将研究断层工程技术的应用,以使硅能发出波长为1.1-1.6微米的光。该公司已从英国政府的贸易与工业部获得了6万英镑的资助,用于SMART可行性研究。
硅不会自然...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-11-07
SST与授权华虹NEC使用0.25微米制程闪存技术
闪存技术厂商超捷半导体(SST)与上海华虹NEC电子有限公司(HHNEC)日前宣布双方公司加强合作关系,使HHNEC能提供基于SST 0.25微米闪存技术的代工服务,此外,HHNEC还将为其客户授权SST的0.25微米闪存技...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-11-04
存储器制造商开始尝试将FRAM嵌入到SoC中
那些已经在铁电RAM(FRAM)上投下“赌注”的半导体供应商已在致力于从独立器件转向可将非易失性存储器嵌入到CMOS逻辑芯片中。开发人员认为,要进入这个新时代,在工艺和材料方面还存在很多障碍,但跨...
[国际工业自动化网] http://www.iianews.com2003-10-16
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