7月19日，高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。
TP65H050G4BS通过了JEDEC认证，为设计者和制造商提供了多项优势，赋能他们开发通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率(数千瓦到几千瓦)系统。它具有Transphorm一流的可靠性、栅极稳健性(±20 Vmax)和抗硅噪声阈值(4V)，以及氮化镓技术所具备的易设计性和驱动性能。工程师们需要使用较大的D2PAK来满足更高的功率和表面贴装封装需求。与PQFN封装相比，D2PAK可以实现更好的热性能，同时帮助用户通过单一的制造流程提高PCB组装效率。
D2PAK可作为分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC无桥图腾柱功率因素校正(PFC)评估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它还可以切换至1.2kW同步半桥TDHBG1200DC100-KIT评估板，以驱动多千瓦功率。
Transphorm全球营销、应用和业务发展高级副总裁Philip Zuk表示：“D2PAK是对我们产品组合的一个重要补充。它将我们的SMD产品的可用性拓展至高功率领域，而之前我们用通孔器件支持这些应用。客户可获得我们氮化镓平台的多项优势，如熟悉的TO-XXX封装消除了设计挑战、简化了系统开发并加快了产品上市速度。”
Transphorm是当前提供标准TO-XXX封装的高压氮化镓器件的唯一氮化镓供应商。值得注意的是，鉴于其固有的栅极损坏敏感性，这些封装产品不支持替代性的增强型氮化镓技术。
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