东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
Ø 应用：
- 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源(UPS)
Ø 特性：
- 单位面积导通电阻低(RDS(ON)A)
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)
- 低二极管正向电压：VDSF=-1.35V(典型值)@VGS=-5V
Ø 主要规格：
(除非另有说明，Ta=25℃)
@Tc=25℃@VGS=18V@VDS=10V@VDS=400V、
注：
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(RDS(ON)A)，同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。
（转载）
