据日经BP社报道,日立制作所在“nano tech 2009(国际纳米技术综合展)”(2月18~20日)上展出了芯片尺寸为1.9mm见方的LSI集成型压力传感器。是利用LSI制造工艺把压力传感器制造到LSI上形成的,与该公司此前发布的3.4mm见方的试制品相比,体积大幅缩小。该公司正在探讨利用150mm晶圆生产线的量产事宜。
将尺寸由3.4mm见方缩小到1.9mm见方的理由有二。一是在LSI的正上方形成压力传感器。原来的试制品虽然层积了LSI及压力传感器,但由于要优先确立核心技术,因此为了不在LSI的正上方层叠压力传感器,只好沿水平方向错位形成。另一点是此次削减了压力传感器部分留有的多余空间。留有空间的理由是为了配备压力传感器以外的传感器。
另外,日立此次还介绍了可通过改变隔膜(承受压力后弯曲的薄膜部)尺寸,改变检测压力灵敏度的技术。利用该技术,可使集成型压力传感器的设计及制造工艺实现标准化,还可将达到通用水平的集成型压力传感器应用于多种用途。
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