三菱电机宣布研发成功三款输出功率为10W、20W和40W的GaN HEMT模块。这三类模块支持L波段到C波段的放大器应用，可以应用于手机基站以及卫星通信地面站等设备中。样品从2010年8月开始提供。
※1：L波段：0.5GHz～2GHz、S波段：2GHz～4GHz、C波段：在4GHz～8GHz以内，到6GHz为止
※2：Gallium Nitride氮化镓
※3：High Electron Mobility Transistor高电子迁移率晶体管
新产品特点
※1．大功率、高效率、高电压工作的GaN HEMT
・推出输出功率分别为10W、20W、40W，可用于从0.5GHz至6GHz的产品，以扩充产品阵容
・高效率，实现46%以上的功率附加效率
・可在47V的高电压下工作
※2．4.4mm×14.0mm的小型封装
4.4mm×14.0mm的小型封装可减少装配面积
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