派恩杰负责市场与销售的副总裁高治廷先生表示：“过去三年，派恩杰潜心研发，已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件，这些产品在海内外都已经被一些一线客户导入使用。经第三方机构&全球一线客户实机测试验证，产品性能已达国际一流水平。我们争取成为在海外市场最大份额的中国SiC & GaN品牌。”
据了解，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，目前已是国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。其创始人黄兴是美国北卡州立大学博士，师承Dr. B. Jayant Baliga(IEEE终身会员，美国科学院院士，IGBT发明者，奥巴马授予国家技术创新奖章)与Dr. Alex Q. Huang(IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管(ETO)的发明者)，在Cree / RFMD(Qorvo) / USCi等有长达十年的SiC & GaN功率器件设计经验，累计发布10余篇科技论文，超过350次引用，20余项专利发明，技术实力非常强。
为此，2019年3月，派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS，应用于电动汽车电驱单管及模块。
官方资料显示，派恩杰的SiC晶圆是由全球晶圆代工龙头企业X-FAB生产制作的。X-Fab是全球第一家提供150mm SiC工艺的foundry，同时也是当前全球具备规模化量产能力的SiC晶圆代工厂TOP3，产能和品质都很可靠。
耐高温、高频、大功率、高压等特性，使得SiC器件在轨道交通、电网、光伏逆变器、新能源汽车、充电桩等多个领域扮演着重要角色。而GaN技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出等应用。中国企业近年来快速布局第三代半导体领域。作为宽禁带半导体功率器件的新秀，派恩杰开始布局全球，这说明中国第三代半导体企业的技术水平已经有机会可以与国际企业一争高下。
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