近期，深圳市盛弘电气股份有限公司(以下简称：盛弘股份)与英飞凌科技公司(以下简称：英飞凌)达成合作。盛弘将应用英飞凌提供的业内领先的1200V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，进一步提升盛弘储能变流器的效率。
图- 盛弘股份储能变流器
在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，近年来，国内储能市场保持持续快速发展。据工信部数据，2023年上半年，新型储能装机规模达到863万千瓦，相当于此前历年累计装机规模总和。而储能系统的效率和功率密度是产品竞争力的重要因素，系统体积大小、重量，以及储能系统的成本等都与能源转换效率密切相关，也直接影响着成本。因此，功率半导体元器件扮演着至关重要的角色。
“盛弘股份的储能产品使用了英飞凌的SiC器件后，储能产品体积明显更加小巧灵动，产品效率明显提升，损耗大幅下降，减少了系统的散热成本，有利于产品长期高效稳定运行，对终端用户的运营稳定性和缩短投资回报周期产生了积极的效果，使得产品的系统竞争力大幅提升，同步也提升了客户对于盛弘储能产品的信任程度和盛弘股份的品牌度。我们非常期待与英飞凌的深入合作，希望后续英飞凌能持续提供高性能高稳定性的元器件，为盛弘的产品在客户端提升竞争力加油助力!”——盛弘股份集团副总经理魏晓亮
“SiC功率解决方案是未来绿色能源生产和存储应用的重要组件。英飞凌与盛弘股份在储能变流器领域的合作，助力储能系统实现效率高、体积小、重量轻等优势，为实现高可靠性、高性能的储能系统提供坚实的保障。”——英飞凌科技高级副总裁&零碳工业功率事业部大中华区负责人于代辉先生
凭借在碳化硅领域超过20年的产品研发和应用经验，英飞凌持续精进碳化硅产品的先进性。其中，1200V CoolSiC™ MOSFET凭借其高功率密度的优越性能，可将损耗降低50%, 在不增加电池尺寸的情况下，额外提供约2%的能量，这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。采用英飞凌1200V CoolSiC MOSFET以及 EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC，盛弘股份储能变流器可实现高功率密度，最小电磁辐射和干扰，高保护性能以及高可靠性，系统效率可达98% , 比传统的解决方案效率提升了1%，达到行业领先水平，更好地满足海内外市场并网和离网运行的储能应用需求。
（来源：盛弘电气）
