半导体

年度光通信创新产品奖丨长光华芯100mW CW DFB芯片

ainet.cn   2024年06月25日

6月24日,2024年度光通信最具影响力产品颁奖典礼在CFCF光连接大会期间隆重举办。长光华芯100mW CW DFB光通信芯片产品荣获光电芯片及有源器件类2024年度创新产品奖!

年度光通信最具影响力产品评选

评选由光纤在线与和弦产业研究中心联合主办,旨在突出标杆示范和创新引领,是对光通信技术创新成果的一次年度集中展示和比拼。评选通过产业链上下游调查、权威顾问团队评审、光纤在线分析师团队综合打分,从市场占有率、技术领先或创新能力、品牌知名度多维度评选出年度代表性产品,获奖产品往往是企业技术创新的体现,更是行业发展的风向标。

获奖产品:100mW CW DFB

长光华芯100mW CW DFB光源芯片,继承了公司大功率半导体激光器核心的外延和腔面钝化工艺技术,提升了长腔长芯片的电光转换效率,确保了大电流,高发热工况下的芯片可靠性。

该产品可广泛应用于工业级或消费级的数据中心、云计算、5G通信等领域,为高速、低延迟的通信提供了坚实的基础。

传统的70mW CW DFB从功率预算角度存在满足1分4的可能,但其对模块厂商CoC散热设计和工艺控制能力要求非常严苛,轻微工艺波动就将导致CoC良率大幅降低。所以实际70mW规格的CW DFB芯片难以实现1分4。

100mW CW DFB具有充足的功率裕量,不仅可以实现1分4,且对于客户CoC封装能力和耦合工艺控制更为友好,提升客户制程良率的同时降低加工成本,还能确保模块输出高功率,对系统更加友好,也更加容易满足DR+的应用需求。

本次获奖是业内专家对长光华芯研发成果的认可,未来,长光华芯将继续秉持科研精神,保持创新迭代,助推半导体激光芯片的国产化和商业化!

长光华芯专注于研发和生产半导体激光芯片,核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题,建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD(外延)、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线,拥有2吋、3吋、6吋三大量产线,边发射EEL、面发射VCSEL两大产品结构,GaAs砷化镓、InP磷化铟、GaN氮化镓三大材料体系,是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一,有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。

长光华芯IDM全流程工艺平台和量产线

(来源:长光华芯)

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