创新半导体解决方案的领先供应商瑞萨电子株式会社推出新型100V N沟道功率MOSFET。该公司是电机控制、电池管理系统、电源管理和充电应用等应用的大电流开关器件的行业领导者。这些应用的最终产品包括电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心、不间断电源（UPS）等等。
瑞萨电子开发了一种新的MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1），可将导通电阻（即：MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻）显著降低30%。较低的导通电阻有助于显著降低客户设计中的功率损耗。
REXFET-1工艺还式新型MOSFET将Qg特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低 10%，将 Qgd（在米勒平台阶段必须馈入栅极的电荷量）降低 40%。
除了出色的电气性能外，瑞萨电子的新型RBA300N10EANS和 RBA300N10EHPF MOSFET还采用标准TOLL和TOLG封装。这些器件与其它制造商的器件引脚兼容，比传统的TO-263封装小50%。TOLL外壳还提供用于光学检查的“可湿性侧面”。
“多年来，瑞萨电子一直是MOSFET市场的领导者，”瑞萨电子分立功率器件解决方案事业部副总裁Avi Kashyap说：“通过将我们的制造工程专业知识应用于这个市场，我们可以为客户提供出色的产品和供应安全，这要归功于多个大批量制造设施。”
成功产品组合
瑞萨电子将新型MOSFET与其产品组合中的许多兼容元件相结合，提供大量成功产品组合，包括48V移动平台和三合一电动汽车单元：逆变器、车载充电器、DC/DC转换器。这些设计是技术复杂的系统架构，由相互兼容的组件组成，这些组件可以无缝地协同工作。它们支持优化的低风险设计，可加快上市时间。瑞萨电子提供400多种成功产品组合，包括其产品组合中的各种产品。这使客户能够加快开发过程并更快地将其产品推向市场。
（来源星辰工业电子简讯）
